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力合創投:瑞波光電實現國產905nm EEL芯片重大技術突破

2023-05-05 11:24:53

每經AI快訊,5月5日,力合創投官微消息,力合創投在孵在投企業瑞波光電作為國內激光雷達發射芯片供應商,日前推出具備自主核心技術的新一代3J和4J的低溫漂65W、135W、165W 905nm芯片系列,波長隨溫度變化系數小于0.09nm/K,部分型號達到0.06nm/K,在溫度漂移特性已經接近甚至優于VCSEL,實現了國產905nm EEL芯片的重大技術突破,填補了國內空白,同時削弱了VCSEL的競爭優勢。瑞波光電目前已經與國內多家頭部激光雷達廠商展開深度合作,并實現批量的應用。(每經)

責編 袁東

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