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日本開發(fā)在磁場下實現(xiàn)電阻開關(guān)效應(yīng)的半導(dǎo)體器件

2024-04-05 12:25:56

每經(jīng)AI快訊，日本一個研究團隊研制出一種半導(dǎo)體納米通道器件，給這種器件施加磁場能使其電阻值發(fā)生高達250倍的變化。這種現(xiàn)象未來有望用于開發(fā)新型電子元器件等。相關(guān)論文已發(fā)表在國際學術(shù)期刊《先進材料》上。 (新華社)

責編 張喜威

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